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LGM100HF120S2F1A
具备正温度系数的VCEsat 低开关消耗 低电感外壳 接纳DBC手艺的断绝铜基板领会 +LGM100HF120S2F1A
IGBT
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TGAN60N65F2DS
TGAN60N65F2DS绝缘栅双极晶体管是由TRinno的第二代场停止效应工艺制成的。650V，开关消耗低，合用于多种温度规模，可在175℃下任务，易于并联操纵，合适ROHS规范，并已取得JEDEC资历认证。该产物可用于UPS、电焊机、逆变器、太阳能等范畴。领会 +TGAN60N65F2DS
IGBT
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G5S12020BM
正温度系数，便于并联利用。与温度有关的开关特征。高任务温度为175℃。零反向规复电流。零正向规复电压。利用：开关电源（SMPS）、功率因数校订（PFC）。机电驱动、光伏逆变器、不中断电源、风力发机电、列车牵引体系、电动汽车。领会 +G5S12020BM
SBD
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SD8666QS
SD8666QS 是用于开关电源的内置高压功率 MOSFET、外置采样电阻 的准谐振电流形式 PWM+PFM 节制器。 SD8666QS 具备多重形式节制：在重载下，高压时任务在 QR 形式，能够减小开关消耗，高压时任务牢固频次（65KHz）的 CCM 形式。在中载 和轻载下，任务在 QR+PFM 形式，能够进步转换效力。在空载下，进入打 嗝形式，有用地下降电路的待机功耗。领会 +SD8666QS
Controler
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